მემრისტორ-დიოდური მატრიცის შექმნა ოპერატიული მეხსიერების ხელსაწყოსთვის

ავტორი: ამირან ბიბილაშვილი
თანაავტორები: ზურაბ ყუშიტაშვილი; ბექა მელუა.
საკვანძო სიტყვები: მემრისტორი, კროსბარი, დიოდი, მაგნეტრონული გაფრქვევა.
ანოტაცია:

წარმოდგენილია ელექტრონიკის ახალი კომპონენტის კომბინირებული კროსბარის - აქტიური მემრისტორისა და ნახევარგამტარული დიოდის, ერთ უჯრედში, დამზადების ტოპოლოგია და ტექნოლოგია. ეს იძლევა საშულებას, ელექტრონიკული მიკრო ელემენტის ახალი კომპონენტით შექმნას. საბოლოო მიზნად დასახულია, პლანარული მახსოვრობის ხელსაწყო, ანუ მემრისტორი, ჩაისვას ინტეგრალური სქემის მიღების ტექნოლოგიურ პროცესების მიმდინარე ციკლში. შემუშავდა მემრისტორულ-დიოდური კროსბარის უჯრედის დამზადების ტექნოლოგიური მარშრუტი და მის საფუძველზე შესაბამისი ფოტოშაბლონი. მემრისტორის აქტიური შრის, ჰაფნიუმის სრული და არასრული, ფენები შექმნილია ულტრაიისფერი (უი) სხივით სტიმულირებული რეაქტიული მაგნეტრონული გაფრქვევის მეთოდით. ნახევარგამტარული დიოდი მიღებულია p ტიპის სილიციუმის საფენიში ფოსფორის თერმული დიფუზიით. ორ დიოდს შორის მემრისტორის პარალელური ჩასმით მცირდება მატრიცაში პარაზიტული (გაჟონვის) დენი, რაც გაზრდის მასზე აგებული მახსოვრობის ხელსაწყოს პარამეტრების ხარისხს. მოცემულია რეკომენდაცია შემუშავებული ტექნოლოგიით მიღებული კომბინირებული კროსბარის ინტეგრალური მიკროსქემის (იმს) ელემენტებად და მიკრო და ნანონაწილაკის ხელსაწყოების დასამზადებლად გამოყენებაზე.

მიმაგრებული ფაილები:

პრეზენტაცია [ka]